均匀的InGaN纳米点成功地在SiO2预处理的GaN表面上生长。发现InGaN纳米点的直径约为20nm,高度约为5nm。在InGaN纳米点的表面上生长两个周期的InGaN / GaN量子阱之后,由于增强的相分离现象而在InGaN阱层中仍然形成纳米点结构。从具有InGaN / GaN量子阱的InGaN纳米点的光致发光(PL)光谱中观察到了具有不同行为的双色发射。随着PL激发功率的增加,对低能峰测量了明显的蓝移和线宽加宽,而对高能峰出现了轻微的蓝移和线宽变窄。因此,这两个峰分别来自富In的纳米点和来自具有铟含量的InGaN / GaN量子阱的量化状态跃迁。