在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长的氨热GaN晶体的生长行为在这项工作中,通过基本的氨热方法在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长GaN晶体。 研究了各种晶面的生长行为。 观察到具有不同特征的表面形态,包括丘状,板岩状和椭圆形的球状表面。 紫花苜蓿的生长速度及其演化过程。 使用扫描电子显微镜(SEM)和阴极发光(CL)测量来表征生长的GaN晶体的各个平面。我们的结果表明,在不同方向的HVPE晶种上生长的相同晶面的生长速率几乎相同。 通过使用动力学沃尔夫夫定律分析晶体形状的形态演变,最终发现这些GaN晶体的主要晶面是非极性m平面,{10-11}半极性平面和极性(000-1)平面。