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斯塔克效应和量子阱厚度对InGaN激光二极管光学性能的影响
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对
在物理学中,实验最终告诉我们什么构成任何物理概念的良好理论模型:物理空间也不例外。牛顿物理学中最好的物理空间图是由自由粒子的配置空间(或封闭的粒子系统的质心)给出的。该配置空间(以及相位空间)可以构造
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响, 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95
自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料
量子点是纳米科学与技术研究重要的组成部分,量子点器件又是纳米器件的发展方向之一。详细介绍了量子点的分类、量子点的主要制备方式、量子点特性的传统研究和微波类比仿真研究方法,系统论述了量子点器件的分类应用
量子信息与量子计算介绍现在发展趋势quantumcomputation量子位叠加态本征态量子牵连售价高达10000000美元
量子计算与量子信息1,经典的量子信息与量子计算教程,电子文档
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