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采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对ZnO0.875的电子结构和光学性质进行了计算.用第一性原理对含氧空位的ZnO晶体进行了结构优化处理,计算了完整的和含氧空位的ZnO晶体的电子态密度.结合精确
室温下GaAs量子阱中自旋弛豫的密度依赖性
报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68 mA)存在,在一定的电
熔盐模板法制备单晶BaTiO3纳米线及单根纳米线铁电性能研究，邓兆，戴英，本文采用熔盐模板法，制备单晶BaTiO3纳米线。所采用的模板为实验室自制的BaTi2O5纳米线，首先通过化学沉淀方法在其表面包
退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性质的影响，孙冬晓，李金华，采用原子层沉积法（ALD）在石英衬底上制备ZnMgO薄膜，并对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射
硅纳米线的表面修饰和应用，郜玮玮，叶世勇，硅纳米线作为一种典型的一维纳米材料，其优异的光、电、力、热和化学性质，以及潜在的实际应用已越来越引起人们的关注，我国已经
GaAs纳米线阵列光电阴极光发射特性的理论分析与建模
采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功
通过衬底处理工程的高密度GaAs纳米线阵列
硝酸铁溶液刻蚀法制备硅纳米线的研究，周阳，王晓娜，在室温下，调整氢氟酸和硝酸铁腐蚀溶液的浓度，控制不同的腐蚀时间，对单晶硅片进行化学腐蚀法制备硅纳米线。测试硅纳米线的表面
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