采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对ZnO0.875的电子结构和光学性质进行了计算.用第一性原理对含氧空位的ZnO晶体进行了结构优化处理,计算了完整的和含氧空位的ZnO晶体的电子态密度.结合精确计算的电子态密度分析了带间跃迁占主导地位的ZnO0.875材料的介电函数、吸收系数、折射系数、湮灭系数和反射系数,并对光学性质和极化之间的联系做了详细讨论.结果表明ZnO0.875晶体是单轴晶体,并且在低能区域存在因氧缺陷而造成的一些特性.我们的研究结果为ZnO的发光特性提供新的视野,同时为ZnO的光电子材料的设计和应用提供理论基础.