熔盐模板法制备单晶BaTiO3纳米线及单根纳米线铁电性能研究

以Fe(NO3)3.9H2O和Na2CO3为起始物,采用化学沉淀法制备了纳米级α-Fe2O3粉体材料.采用XRD、TG-DTA和TEM等技术对产物的晶型、晶粒大小及形貌进行了表征.结果表明,沉淀法所制

一种制备杂化铜纳米线-TiO2薄膜的简便策略

通过热蒸发锌粉在硅衬底上合成了氧化锌(ZnO)纳米线。 通过扫描电子显微镜(SEM)检查纳米线的形态,并通过拉曼测量将其表征为六方纤锌矿结构。 基于纳米线中的轴向法布里-珀罗共振器模式,获得了光致发光

Fe掺杂Zn0.99Mn0.01S纳米线的制备,光学和磁性

结合纳米线和量子点的混合纳米结构促进了具有集成功能的纳米电子和纳米光子器件的发展。 在这项工作中,我们提出了一个复杂的纳米结构,在纳米线上生长了多壳量子点。 通过金属有机化学气相沉积,在GaAs纳米线

我们报道了一种金属辅助化学刻蚀方法来制造排列良好的硅纳米线(SiNWs)。通过在阳极氧化的氧化铝(AAO)上真空蒸发获得高度有序的金(Au)网格。结果表明,通过调节金网Kong尺寸和刻蚀时间,可以分别

纳米压印法制备规则TiO2纳米孔阵列薄膜，仲鹏，阙文修，本文给出了一种利用纳米压印技术在基底上直接制备规则TiO2纳米孔阵列结构的方法。一种双层复合型的高分子软模板作为压印过程所采�

升华法制备SiC单晶及表征，汪洋，万隆，石墨电极与SiC原料直接接触，通电后利用接触电阻及SiC颗粒间产生的电弧加热SiC粉源，采用升华法原理成功制备了SiC单晶材料。实验表明

聚苯胺纳米线插层石墨烯复合材料的制备以及电化学性能，于平平，赵昕，通过原位聚合法以苯胺和微波膨胀氧化石墨（GO）的石墨烯（MEGO）为原料，按照质量比为98:02及90:10制备了聚苯胺插层石墨烯的复

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在镍片上直接制备碳纳米管(CNTs)薄膜,系统地研究了生长温度(500~800 °C)对碳纳米管薄膜形貌、结构及场发射性能的影响,并对此方法的生长机理进行了分析。当