硝酸铁溶液刻蚀法制备硅纳米线的研究

硅基底上外延生长的MnSi1.7纳米线的STM、TEM和XPS研究

硅纳米线阵列光电电极光电转换特性的仿真分析

这项工作报告了在栅极长度小于2.5毫米的硅纳米线晶体管中观察到异常大的关态电流的现象。 由于栅极长度以及源极/漏极掺杂水平远远超出穿通条件,我们将此观察结果归因于沿纳米线角/边界的电荷传输。 还研究了

基于蓝宝石衬底的硅纳米线氨气传感器，周畅，胡礼中，采用化学气相输运方法在蓝宝石衬底上制备了高密度的硅纳米线，通过扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行了表征。实验结果表明这种硅

低温液相法制备ZnO花-球微纳米结构，张强，李涛，采用六水硝酸锌和六次甲基四胺作反应剂，基于氢氟酸（HF）的调控作用，利用低温液相技术制备了ZnO花-球微纳米结构。X射线衍射分析�

溶胶凝胶法制备BiFeO3纳米粉末，耿芳芳，朱卫华，BiFeO3在高密度记忆元件、信息储存等方面都有极其重要的应用前景，但在制备工艺方面却存在制备方法复杂和纯相难以获得等问题。为了

高温液相还原法制备钴纳米晶，孙明，侯峰，本文采用高温液相还原法，以四水醋酸钴为金属前驱体盐、十二烷二醇为还原剂，利用表面活性剂油酸和三辛基磷(TOP)包裹金属表面，合�

HWCVD法制备非晶和纳米晶WOx薄膜，李忠岳，王春霞，氧化钨（WOx）作为重要的过渡金属氧化物之一，在许多领域具有广泛的应用，目前已发展出了多种氧化钨的制备工艺。本文利用热丝化学

甲醇醇解法制备纳米ZnO及其发光性能

硅介质材料的等离子刻蚀选择比研究，刘珂，陈国动，本文研究了一种基于电感耦合型高密度等离子体刻蚀设备的硅介质材料刻蚀工艺，刻蚀气体使用CHF3、CH2F2和O2的混合气体。实验数据表明�