硅介质材料的等离子刻蚀选择比研究,刘珂,陈国动,本文研究了一种基于电感耦合型高密度等离子体刻蚀设备的硅介质材料刻蚀工艺,刻蚀气体使用CHF3、CH2F2和O2的混合气体。实验数据表明�