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本文建立了激光偏振性的全量子理论。分析了各向异性腔中多模运转下激光束的偏振特性。给出He-Ne激光器在6328振荡谱线上各模相互间角度随各向异性变化的基本方程、计算曲线及偏振组态。本文还给出了由应力导
强光注入锁定半导体激光器的理论分析
利用琼斯矢量和琼斯矩阵的形式对ES激光器的偏振特性作了分析,得到光线在激光腔内往返一周的琼斯变换矩阵.证明了ES激光器具有偏振态自再现性质,同时研究了偏振损耗的变化规律,给出了计算结果。
由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个
量子级联激光器的宽调谐范围、高输出功率及单模工作特性使其非常适用于高分辨率光谱分析。结合中红外波段气体分子的基频强吸收特性,基于量子级联激光器吸收光谱的气体检测技术具有灵敏度高、选择性强及快速响应等特
为了实现GaN基量子阱红外探测器,利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应,通过设计适当的量子阱结构,利用自发极化和压电极化的
本文所设计的基于TPS63000的温度控制电路,已成功应用在CyOptics公司的EML激光器中。实际使用证明:该电路可以有效地对TEC的温度进行控制,能够使EML激光器长期、稳定地工作在设定温度下。
量子级联激光器(QCL)是波长范围在中远红外的一类新型激光器,到目前为此,对于它的脉冲响应及调制响应等动态特性了解并不是很深入,为此以贝尔实验室在1994年发明的量子级联激光器器件模型为基础,通过分析
基于InP的变质InAlAs缓冲液的I型中红外InAs / InGaAs量子阱激光器
基于9.56μm量子级联激光器的中空波导增强激光吸收光谱法检测氨气
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