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本文对外色散腔半导体激光器单模工作条件及机理进行了理论分析和实验研究。采用将多纵模输出的半导体激光二极管置于外色散腔内,不论二极管表面镀不镀增透膜,都实现了室温连续稳定单纵模运转。激光线宽小于50MH
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应
对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz~20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电
可集成的高速双稳态半导体激光器
电子束扫描激发的半导体激光器
日本国际电信电话公司研究所采用将阴性型光致抗蚀剂与阳性型光致抗蚀剂同时以双光束干涉曝光的全新方法,研制成原理上一定从单波长振荡的分布反馈半导体激光器。
由于半导体激光器快慢轴方向的光束质量相差较大, 为完成半导体激光器堆栈的光纤耦合, 通常采用棱镜堆对光束进行整形。提出一种先填充快轴方向暗区、后旋转重排的光束整形技术, 基于棱镜内部的全反射和平行平板
在砷化镓衬底上设置两个突起,把激活层减薄至0.05微米,由此可以得到世界最高水平的单横模、高功率(25毫瓦)半导体激光器“MEL4744”。这是松下电子工业公司最近研制成功的。这种称为双峰衬底(TRS
由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.
Analysis in this paper shows that a harmonic measurement method can be used to determine accurately
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