CNUTCon全球运维技术大会是由InfoQ主办的运维&容器技术盛会。大会为期2天,主要面向各行业对运维&容器技术感兴趣的中高端技术人员。秉承着“同步前沿技术、共享实战经验、聚焦最佳实践、激发思想碰撞
CNUTCon全球运维技术大会是由InfoQ主办的运维&容器技术盛会。大会为期2天,主要面向各行业对运维&容器技术感兴趣的中高端技术人员。秉承着“同步前沿技术、共享实战经验、聚焦最佳实践、激发思想碰撞
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装,在1
导读:近日,Littelfuse公司是电路保护领域的企业,宣布针对汽车应用推出了AUMOV系列低压高浪涌电流径向引线式压敏电阻。AUMOV系列压敏电阻在直流低压应用中提供比市场现有技术高出50%的浪涌
随着电动汽车的火热发展,充电桩和车载充电器的方案已经成为市场的热点。 此类应用中,其输入电压大都是三相交流输入,经过三相PFC后,直流母线电压会高到7,800V, 如此高的直流母线电压给后级的DC/D
为了提升单晶碳化硅(SiC)材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光(MRF)相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单晶SiC晶圆进行实际加工。首先,采用环抛技术将单晶SiC晶圆表
摘要:简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.
单晶碳化硅晶片半固着磨粒柔性抛光工艺研究,罗求发,陆静,针对游离磨料加工单晶碳化硅晶片中存在的加工效率低、磨料易团聚、抛光废液污染环境等突出问题,提出采用磨料半固着的柔性抛光工
反应烧结碳化硅(RB-SiC)是一种性能良好的反射镜镜胚材料,但其固有的一些缺陷导致未经特殊处理无法获得光滑的光学表面。使用X 射线衍射(XRD)测试了反应烧结碳化硅试片的晶体结构,结果表明其主要成分
通过可控的化学腐蚀法完成了对碳化硅量子点的制备,而后经超声空化作用及高速层析裁剪获得水相的碳化硅量子点溶液,利用化学偶联法,一步实现了SiC量子点的表面物化特性调控。通过对制备工艺参数调整前后量子点微
