碳化硅( SiC) 器件制造工艺中的干法刻蚀技术

熔融硅转化法制备石墨—碳化硅复合材料微观结构分析，庞生洋，汤素芳，采用熔融硅液相浸渍法制备了碳化硅--石墨复合材料，用扫描电子显微镜（SEM）、X-Ray 衍射仪和能量色散谱仪（EDS）观察了材料的微

通H2合成生长单晶用高纯碳化硅粉料

近日宣布推出两款新型隔离式控制器局域网(CAN)灵活数据速率(FD)收发器,这两款产品将业内更高总线故障保护、更高共模瞬变抗扰度(CMTI)和更低电磁辐射于一身,尺寸缩小35%。ISO1042和ISO

三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论, 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带,价带被电子填满且导带上无电子时,晶体不 导电。当晶体受到外界能

交流系统用碳化硅阀式避雷器 GB 7327-87

为了突破大口径反射镜面形检测的瓶颈,提出了子孔径拼接干涉检验方法。分析研究了子孔径拼接的基本原理与实现流程。基于三角剖分算法、最小二乘拟合和齐次坐标变换等建立了综合优化子孔径拼接数学模型。结合工程实际

Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的

据日经BP社报道,日本Ulvac Inc日前面向LED及LD制造推出了一款最新干法刻蚀设备APIOS NE-950,生产能力较先前产品提高了五倍。该设备将在Semicon Japan 2007上展出。

TMBS器件刻蚀工艺优化的研究，徐晨余，，本文主要阐述了TMBS（沟槽MOS势垒肖特基二极管）的器件形貌改善经过及结果，并详细介绍了该类型器件围绕刻蚀工艺变更而对各项工艺��

电磁防护，二极管。可以免费下载知网文章。