单晶碳化硅晶片半固着磨粒柔性抛光工艺研究

碳化硅MOS管SiCMOS PFC功率器件主开关管的选择..如传统的PFC拓扑普通无桥PFC双升压无桥PFC图腾柱无桥PFC等并已成功大范围应用在设计过程中.碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结

2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET,带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里?为此,电子产品世界

纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜已经通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术在硅(1 0 0)衬底上生长,并且通过改变衬底温度(Ts)将薄膜的光致发光从黄色调至蓝色。 )。 所得的nc-SiC薄膜显示出

单晶锗 双面抛光技术 锗双抛技术 锗的双抛技术

光催化辅助抛光单晶硅的抛光液研制,苑泽伟,杜海洋,:随着电子信息技术高速发展,集成电路等电子元件大量应用,如何高效获取超平坦晶圆已成为当前的主要研究方向。为实现硅晶圆全局

功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善

采用了扫描电镜、能谱分析仪、X射线衍射等方法对高温煅烧下酸性煤灰在SiC质耐火板上煅烧渣样进行了测试,并就渣样的形貌、渣样成分及与SiC质耐火板之间的高温煅烧结渣特性进行了分析。结果表明:高温煅烧下,

探究单颗磨粒的切削过程是研究复杂磨削机理的重要方法。但是由于单颗磨粒体积微小、单颗磨粒磨削试验速度较低，具体的试验实施和物理量的测量存在一定的难度。随着现代计算机辅助技术的发展，利用有限元仿真软件对单

丹术胶囊制粒工艺研究，黄勤挽，陈文文，本文对中药丹术胶囊的制粒工艺进行了研究，比较了摇摆制粒、干压制粒、沸腾制粒和螺旋挤出制粒四种制粒方式，通过对制成颗粒的性