为低成本、规模化制备高比表面积碳化硅,以工业级沉淀白炭黑为硅源,葡萄糖粉剂为碳源,采用简单的碳热还原法制备了硼掺杂高比表面积碳化硅。利用X射线衍射仪、扫描电镜、比表面积测试仪和紫外-可见吸收光谱测试方
碳化硅材料半导体,虽然随着技术的发展,目前碳化硅成本下降很多,但是据市场价格表现同类型的硅材料与碳化硅材料的半导体器件价格相差十倍有余。碳化硅单晶体可以制作晶体管(二极管和三极管)。因为碳化硅的禁带宽
疲劳是有关在结构应用中使用铝复合材料的主要问题。 疲劳会导致材料变弱,这主要是由于材料在反复加载时在材料中形成的应变带所致。 由于疲劳引起的损害是一种渐进的局部损害。 疲劳可能发生在应力极限比复合材料
电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET
利用灰成分分析、灰熔融性测试、熔渣腐蚀试验、电子显微镜检测和FactSageTM计算,研究了在还原气氛下煤和生物质熔渣对耐火材料的高温腐蚀特性,即研究生物质的添加对熔渣铺展、熔渣渗透的影响,并从耐火材
导读:英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。 “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。
高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关
熔盐反应改性碳化硅陶瓷过滤器及其烟气过滤性能研究,王伟,李红伟,针对柴油机尾气处理中超细颗粒物难以高效过滤分离的难题,利用熔盐化学反应对多孔碳化硅过滤器的表面进行改性处理,生长出致密的
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供
碳化硅表面改性对SiCp/2014Al复合材料组织与拉伸性能的影响,赵卫星,邱丰,在本文中,通过搅拌铸造法成功制备出了SiCp/2014Al复合材料,其中,SiC颗粒分别进行酸洗、氧化、镀钛三种不同的