王强,李玉国,石礼伟,孙海波(山东师范大学半导体研究所,山东 济南 250014)摘要:概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进
快速扫描光荧光谱仪表征碳化硅材料,李静,丁丽,通过快速扫描光荧光谱仪测试碳化硅材料的发光特性,发现与氮有关的非本征发射谱线BE强度与本征发射谱线FE强度两值之比可以反映氮�
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的应用需求。为此必须对SiC反射镜进行表面改性,以获得高质量的光学表面。目前国际上较为流行的是制备Si或SiC改性层进行表面改性。
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介绍了Y型接法和△型接法的三相电路的功率的计算。
三相电路的无功功率研究,胡岩,,本文从正弦稳态电路无功功率物理意义出发,通过将三相电路的瞬时功率分解为瞬时有功功率和瞬时无功功率,对三相电路的瞬时功率与
大功率电动汽车充电机的输入为额定线电压380V、50Hz的三相交流电,输出额定电压700V,额定电流600A。系统采用19"标准机架,结构紧凑、布局合理、外型美观大方。
