快速扫描光荧光谱仪表征碳化硅材料

2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET,带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里?为此,电子产品世界

碳材料拉曼光谱表征与分析

光场成像光谱仪成像模型及仿真，苏丽娟，袁艳，光场成像光谱技术可以在一次曝光时间内获取目标二维图像数据和一维光谱数据，是一种快照式成像光谱技术，其在动态目标追踪或检测

光谱技术构成实验室和分析仪器中几乎所有光学测量的基础。本次在线研讨会将首先介绍基础知识,展示工作原理,并描述某些典型的频谱分析信号链。随后,我们将解释主光电二极管路径的挑战,最后讨论元件选型和最终系统

光谱仪器的原理，很不错的入门书籍.对于光谱行业的程序员的学习非常有帮助

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功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗

采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究，臧航，黄智晟，首先用1.5MeV的Si离子在常温下注入多晶化学气相沉积3C-SiC制备非晶SiC，注量为5E16cm-2，然后使用400keV的C

采用了扫描电镜、能谱分析仪、X射线衍射等方法对高温煅烧下酸性煤灰在SiC质耐火板上煅烧渣样进行了测试,并就渣样的形貌、渣样成分及与SiC质耐火板之间的高温煅烧结渣特性进行了分析。结果表明:高温煅烧下,

以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源合成碳化硅晶须的研究，李心慰，，以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源，炭黑为碳源，采用碳热还原法合成碳化硅晶须，通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析，探讨了