采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究,臧航,黄智晟,首先用1.5MeV的Si离子在常温下注入多晶化学气相沉积3C-SiC制备非晶SiC,注量为5E16cm-2,然后使用400keV的Cs离子在常温下注入多晶化学气相�