简介 在过去的几十年中,半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅 MOSFET (parasitic parameters),以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率標準以及市场对效率技术需求的双重作用,导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品擁有巨大的需求。這個需求宽带隙(WBG)技术器件应运而生, 如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人员要求的更低的寄生參數滿足开关电源(SMPS)的設計要求。650V 碳化硅場效應管器件在推出之后,可以补充之前只有 1200V 碳化硅場效應器件設計需求,碳化硅場效應管(SiC MOSFET)由于能够实