为低成本、规模化制备高比表面积碳化硅，以工业级沉淀白炭黑为硅源，葡萄糖粉剂为碳源，采用简单的碳热还原法制备了硼掺杂高比表面积碳化硅。利用X射线衍射仪、扫描电镜、比表面积测试仪和紫外-可见吸收光谱测试方法对碳化硅的晶型、形貌、表面性质及能带结构进行了表征。分析结果表明：B原子进入SiC晶格并取代Si点位，在1350℃焙烧温度时，SiC具有最高比表面积和较低禁带宽度，随着B/Si摩尔比增大，SiC结晶度提高，比表面积减小，禁带宽度减小。