使用滤波脉冲电弧沉积（FPAD）方法在硅衬底上制造碳化钨膜（WC膜）。 两种类型的硬质合金碳化钨（WC）被用作阴极，一种类型包含Co和另一种Ti，它们被用作形成阴极形状的粘合剂。 通过改变脉冲电弧电流和衬底偏置电压来制造膜。 在这些沉积条件下研究了放电，沉积和膜性能。 发现使用WC-Co（含Co的WC阴极）时的阴极磨损量小于使用WC-Ti（含Ti的WC阴极）时的阴极磨损量。 在所有条件下，WC膜厚度约为30-40 nm，但脉冲电弧电流为50 A且膜厚度约为10 nm时除外。 与WC-Ti相比，在WC-Co中阴极材料的消耗得到抑制，表明后者的膜制备效率良好。 通过X射线衍射分析，观察到使用WC-