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碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题pdf,借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管（功率 MOS）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等新型电力电子器件的全面应用而臻于
国产首款1700V SiC MOSFET碳化硅功率器件，具有750毫欧的内阻和20毫欧的导通电阻Rds（on），适用于高压电源应用。该器件在工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器和UPS等三相功率
用准分子激光器制造碳化硅滑环微型结构
碳化硅衬底作为第三代半导体材料氮化镓和碳化硅器件应用的基础，在新能源和5G领域扮演着至关重要的角色。碳化硅材料具备宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等优异特性，使其成为高频、高温、高
第三代电子封装材料-铝碳化硅.pdf
《屏蔽泵用成套碳化硅轴承的设计及应用》 介绍了屏蔽泵用成套S-SiC无压烧结碳化硅轴承的设计及其应用。列出了各类碳化硅陶瓷材料的物理机械性能指标和耐化学性能的参考数据,并着重对产品的优化设计和选材作了
摘要 由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)的碳化硅金属氧化物半导体场效电
SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证:根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露,目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短,在车载领域才刚 开始商用(Model 3 中率先使
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