波长630~670 nm、室温(300 Κ)连续振荡的半导体激光器的研究很活跃。用于取代氦-氖气体激光器(波长632.8 nm)的半导体激光器已不再是幻想了。日本电气公司已试制了671 nm连续振荡的
针对铯蒸气激光器对窄线宽与高稳定852 nm半导体激光抽运源的要求,采用体布拉格(Bragg)光栅作为外腔输出镜,研究了体Bragg光栅衍射效率对外腔半导体激光器输出光谱特性的影响。研究结果表明,衍射
matlab开发-半导体激光器的吉他涂层。半导体激光器用氩涂层的设计
半导体激光器的种类很多,各种参考文献对激光器的种类进行了详细论述,图进行了简单示意。半导体激光器可以根据有源层材料、发射波长、器件结构、输出功率和应用领域等不同方式进行划分,分类方式灵活,相互交错。
半导体激光器是利用半导体中的载流子受激跃迁而引起受激光发射的光振荡器和光放大器的总称。半导体激光器要产生相干辐射,必须具备三个基本条件,即 (1)产生激光的物质。为了形成稳定振荡,激光媒质必须能提
可在室温附近连续工作的双异质结半导体激光器,近几年来已在日本得到大力发展。这种激光器分为三类:(1)波长范围0.8微米的AlGaAs激光器称为短波激光器;(2)波长范围为1微米的InGaAsP激光器称
研究了热起伏、场零点飘移和自发辐射对半导体激光器AM和FM噪声的影响。
实验研究了质子轰击条形GaAs/GaAlAsDH半导体激光器的像散特性.
本文从范德玻尔(van der Pol)方程出发,导出了描述延迟自差拍法谱宽测量的公式。讨论了各结构参数对测量的影响。报道了用该法对单频半导体激光器测量的一些结果。
SiC衬底上的蓝光半导体激光器
