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由于具有体积小、重量轻等特点,半导体激光器(LD)在信息、通讯、医疗等领域得到日益广泛的应用,且与电子器件结合实现单片光电子集成。但是LD容易受到过电压、电流或静电荷的冲击而损坏,其电源的研究愈来愈受
本文中设计的半导体激光器驱动电源的控制系统通过慢启动电路、恒流源电路和光功率反馈电路等,解决了恒流和在工作温度范围内输出功率的不稳定问题,稳定度较高。
高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱亮度相对较差则是
索尼公司最近用MOCVD法(有机金属气相生长法),研制成室温连续振荡、最大输出为1瓦的髙功率AlGaAs系半导体激光器( 波长770~840纳米)。
目前,对于单片集成光电子回路来说,最大的限制就在于缺少合适的光源,而基于化合物材料的半导体激光器由于工艺上与标准集成电路工艺不兼容,无法实现单片集成电路。所以只能选择硅作为基本材料的发光器件,即硅发光
如今可调谐半导体激光器的技术日益成熟，其在光通信网络的应用逐渐增加 通过介绍几种常见 可调谐半导体激光器的原理及性能，阐述了其在国内外的发展现状；在此基础上指出目前供应商对通信 光源的具体需求，从而为
GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料，GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场，在光显示上的应用已使颜
用载流子速率方程分析了高温CW半导体激光器(LD)阈值电流(Ith)与温度(T)的关系.数值计算结果分别给出了与T有关的腔内损耗、双分子复合和俄歇过程以及载流子泄漏效应对Ith的贡献大小.
强光注入锁定半导体激光器的理论分析
最初在室温下连续振荡的半导体激光器是GaAlAs-GaAs激光器。这种激光器,其振荡波长与当时的光纤的低耗损区一致,所以曾有许多人用以从事于光通信的研究。以后,随着光纤技术的进步,其损耗最低的波段移向
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