提高半导体激光器可靠性的研究.pdf

讨论了大地干涉测距中应用半导体激光器的可能性。利用工作在室温下的脉冲半导体激光器进行了模拟实验。在逐步减小辐射源相干长度的情况下,通过确定干涉图样反差的最大值,使干涉仪的臂达到相等。证明了有可能使这种

本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。

光泵蓝光有机半导体激光器

本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

常用连续半导体激光器的输出光功率一般在几毫瓦以上,输出光功率在几十~几百毫瓦或更大功率的连续半导体激光器正逐步扩大应用范围.

用光束传播法(Beam Propagating Method)计算并分析了用半导体激光器端面抽运的1.084 μm Nd:Ti:LiNbO

日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条

光纤耦合半导体激光器以其体积小、光束质量好、寿命长及性能稳定等优势在各领域得到广泛应用,主要作为光纤激光器和固体激光器的抽运源,也可直接应用于激光医疗、材料处理如熔覆、焊接等领域。受光纤激光器向高功率

日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定,同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术,