半导体激光器谱宽的测量研究

用光束传播法(Beam Propagating Method)计算并分析了用半导体激光器端面抽运的1.084 μm Nd:Ti:LiNbO

日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条

光纤耦合半导体激光器以其体积小、光束质量好、寿命长及性能稳定等优势在各领域得到广泛应用,主要作为光纤激光器和固体激光器的抽运源,也可直接应用于激光医疗、材料处理如熔覆、焊接等领域。受光纤激光器向高功率

日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定,同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术,

1. 引言 高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱

由于具有体积小、重量轻等特点,半导体激光器(LD)在信息、通讯、医疗等领域得到日益广泛的应用,且与电子器件结合实现单片光电子集成。但是LD容易受到过电压、电流或静电荷的冲击而损坏,其电源的研究愈来愈受

本文中设计的半导体激光器驱动电源的控制系统通过慢启动电路、恒流源电路和光功率反馈电路等,解决了恒流和在工作温度范围内输出功率的不稳定问题,稳定度较高。

高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱亮度相对较差则是

索尼公司最近用MOCVD法(有机金属气相生长法),研制成室温连续振荡、最大输出为1瓦的髙功率AlGaAs系半导体激光器( 波长770~840纳米)。

目前,对于单片集成光电子回路来说,最大的限制就在于缺少合适的光源,而基于化合物材料的半导体激光器由于工艺上与标准集成电路工艺不兼容,无法实现单片集成电路。所以只能选择硅作为基本材料的发光器件,即硅发光