高功率半导体激光器的波长稳定技术

短波区注入式半导体激光器

贝尔实验室使用的一种性能稳定的激光二极管是釆用解理耦合腔(Cleaved-Coupled-Cavity,—C3)结构的激光二极管。这种激光器不仅调频特性好,而且光谱纯度也高,用于420兆比/秒系统可使

实现了一种新的稳频方案。通过对饱和吸收信号进行检测,得到半导体激光器频率的变化量,利用温度粗调、电流细调的方法对半导体激光器进行稳频,根据此思路设计了基于单片机控制的稳频系统的硬件电路及软件辅助锁频程

近来,使用半导体激光器的产品在增加,如光通讯系统、用半导体激光器作光源进行再现的视频和声频唱片、激光印字机、光学唱片存贮器等都是突出的例子。这表明,半导体激光器巳经发展到了能够实际应用的阶段。事实上,

研制了一种板级多通道半导体激光器温控系统,将其应用于混合气体检测中可实现同时对多个半导体激光器温度的控制。该系统硬件上由多通道温度采集模块、数字信号处理器模块、半导体制冷器(TEC)和TEC控制模块组

报道了一种光脉冲自注入的新方法,它能使增益开关DFB激光器输出光脉冲的时间抖动从5.7 ps减小到1.2 ps,分析了注入光延迟时间及功率对时间抖动的影响,指出为取得抑制时间抖动的最佳效果, 必须选择

东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 °C高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米

波长630~670 nm、室温(300 Κ)连续振荡的半导体激光器的研究很活跃。用于取代氦-氖气体激光器(波长632.8 nm)的半导体激光器已不再是幻想了。日本电气公司已试制了671 nm连续振荡的

报道了一种锁波长914 nm共振抽运的Nd∶YVO4/LBO腔内倍频的绿光激光器,利用锁波长914 nm的半导体激光器作为抽运源,极大地提高了抽运的均匀性和抽运效率,降低了激光器的热效应,从而获得了高

matlab开发-半导体激光器的吉他涂层。半导体激光器用氩涂层的设计