基础电子中的硅基半导体激光器

结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数,与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法,测试计算得到激光器的工作结温,利用扫描声学显微镜分析了激光器焊料层中空洞分布;验证了结

日本国际电信电话公司研究所采用将阴性型光致抗蚀剂与阳性型光致抗蚀剂同时以双光束干涉曝光的全新方法,研制成原理上一定从单波长振荡的分布反馈半导体激光器。

由于半导体激光器快慢轴方向的光束质量相差较大, 为完成半导体激光器堆栈的光纤耦合, 通常采用棱镜堆对光束进行整形。提出一种先填充快轴方向暗区、后旋转重排的光束整形技术, 基于棱镜内部的全反射和平行平板

在砷化镓衬底上设置两个突起,把激活层减薄至0.05微米,由此可以得到世界最高水平的单横模、高功率(25毫瓦)半导体激光器“MEL4744”。这是松下电子工业公司最近研制成功的。这种称为双峰衬底(TRS

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.

Analysis in this paper shows that a harmonic measurement method can be used to determine accurately

市售的商用半导体激光器由于其线宽宽、抖动和漂移大等缺点, 不能满足离子阱中单个钙离子的激光冷却和精细测量实验的要求。因此, 制作了一台可调谐的Littrow结构的半导体激光器(ECDL)。该激光器的自

介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术。对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激光器的耦合的常规技术进行了分析。介绍了多模光纤和半导体激光器耦合的新技术,即在

报道了基于半导体增益开关技术的皮秒脉冲掺铒激光器,该激光器可输出脉冲宽度为80 ps的光脉冲,具有重复频率可调的特点(100 kHz~20 MHz)。在重复频率为20 MHz时,经过主功率振荡放大器(

到目前为止,报导的只是研制了用电子束横向泵浦的紫外半导体激光器,有用ZnO晶体的(λ=375~379 nm)和用ZnS晶体的(λ=330 nm)。但是,要解决在光栅光学显微术、光学定位术和光电印刷术中