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本文将介绍功率MOSFET(场效应管)的结构、工作原理及基本工作电路。
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自
一个可软开关光驱的小程序,减少硬件开关的损耗!
专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech),日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620,适用于个人电脑(
在电力电子系统中,功率半导体模块温度及温度波动对可靠性有较大的影响。为此,基于功率半导体模块的功率损耗计算和热仿真模型。开发了一个程序来计算整个行驶循环期间的温度。
晶体管开路集电极组成的电路是最基本的开关电路。图1所示的74系列TTL的开路集电极上附加上拉电阻的电路,图2所示的晶体管2SC2655上,附加集电极负载电阻RC进行驱动。 图1 晶体管开路集电极—
功率MOSFET管构成的功率放大器电路+原理图+论文
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MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路T
常用驻波比反射损耗功率损耗换算,不用手算,直接查表进行转换,PDF文件整理版本,高清晰版,直接打印,射频设计常用表
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