中兴F1866V200P1T5NAND128KUPGRADEBOOTLDRALLbin

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用精确可解的零度量WZW模型描述了某些五溴超级管背景上的弦理论动力学。 我们使用此描述来计算Jejjala，Madden，Ross和Titchener发现的三电荷非超对称解上的闭合弦激励的谱及其超对称

INTEL NAND FLASH DATASHEET

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SiemensERTEC200PDataSheet

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产品型号:NZQA5V6XV5T1雪崩电压VBRmin(V):5.320雪崩电压VBRnom(V):5.600雪崩电压VBRmax(V):5.880IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1000

产品型号:MM5Z7V5T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):7齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.900@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):160最大功率PM