根据Fowler理论和大量实验，导体光发射的量子效率随温度而增加。 在这里我们表明，当光发射来自n型半导体的准金属表面累积层时，相反的温度依赖性也是可能的。 这是由于半导体中费米能级的温度依赖性。 费米能级随着温度的降低而增加。 这导致半导体功函数的减小，并因此导致在能量的吸收光量子的恒定值下量子效率光发射的增大。 我们已经计算出了对正电荷铯或钡离子吸附所引起的n-GaN中电子累积层的影响。 发现在液氮附近的低温下，光发射的量子效率增加到接近55％，这可与任何已知光阴极所报道的最大值相媲美。 这种现象可能对在低温下工作的高效光电阴极很有用。