ch2 MOS器件物理基础

中北大学半导体物理与器件课程实验指导，是写报告的模板

电子元器件基本都是半导体器件，本书解释了半导体器件的原理。

FundamentalsofPhysicsExtended,10thEditionDavidHalliday,RobertResnick,JearlWalkerWiley,2013年8月28日-144

ARM 编程的一些资料，有利于一些对这方面感兴趣的朋友，一起分享一下，呵呵

数据挖掘引导书 里面有PYTHON 源码实现的聚类算法

EfficientAlgorithmsandIntractableProblems

Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电

利用简易的“一锅法”制备了正丁硫醇修饰的MoS2纳米片(MoS2-C4), 并对其结构、组分、形貌及电双稳性能进行了研究。正丁硫醇在反应过程中既作为硫源, 又作为表面活性剂。X射线衍射(XRD)测试表

1.V-MOS场效应管的结构 V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻蚀技术,刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引

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