常用晶体管参数查询

rfpower中功率射频晶体管,列出了一些常见的射频中功率晶体管的参数。

ADI 的新书《新概念模拟电路-晶体管》，西安交通大学电气工程学院的杨建国携带了一种模型电源。

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铃木雅臣,[晶体管电路设计(上)]

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一、学习要求二、设计课题(P70)三、电路设计流程简介四、共射极放大器原理与设计举例五、电路安装与调试六、主要性能指标及其测试方法七、电路参数修改八、实验步骤与要求

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声

功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。