S波段低噪声放大器的计算机辅助设计（仿真）

Design and Implementation of Microwave Broadband Low Noise Amplifier

摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和

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针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放

关于BJT的噪声模型分析、输入匹配、以及主抗匹配的知识

2.0～4.0GHz低噪声放大器

基于TSMC 0.18 μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹

ADS设计低噪声放大器的设计与制作.pdf详细的操作步骤！

0引言 低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)是射频接收机前端的重要组成部分。它的主要作用是放大接收到的微弱信号,足够高的增益克服后续各级(如混频器)的噪声,并尽可能少地降

1 引 言 低噪声放大器(LNA)位于射频接收机的前端,其主要功能是对微弱信号进行低噪声放大。在低噪声放大器的设计过程中,要综合考虑其放大能力、噪声系数和匹配等因素,这需要大量的理论计算和smit