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作为集成电路的基本电子组件,晶体管的大小 40 多年来一直在缩减。在我们的90-nm CMOS 工艺中,我们面临着严峻挑战,需要制造门长度不足 40 nm的晶体管。要求我们实现最高级的光刻与蚀刻控制,

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传统的晶体管特性图示仪是利用电子扫描的原理,在示波管的荧光屏上直接显示各种半导体器件输出特性曲线的仪器,如三极管、二极管、场效应管等晶体管器件,主要组成是由阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、工作于X

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功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。

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