IGBT驱动保护及典型应用

相当齐全的IGBT驱动，希望对各位有用 　　对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行

系统介绍30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护技术。提出IGBT对驱动电路的要求,介绍三菱的IGBT驱动电路M57962L和逆变电源中IGBT的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。

本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。

因IGBT具有电流拖尾效应,在关断时要求更好的抗干扰性,需要负压驱动。MOSFET速度比较快,关断时可以没有负压,但在干扰较重时,负压关断对于提高可靠性有很大好处。

IGBT应用开发手册，详细描述了IGBT的基本原理以及其相关实际应用中应该考虑的问题等。

1、引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电

英飞凌工程师写的中文版（扫描）本书首先介绍了IGBT的内部结构，然后通过电路原型或基本模型推导出的IGBT变体形式。在此基础上，探讨了IGBT的封装技术。本书还讨论了IGBT电气特性和热问题，分析了I

2SD315AI-33是瑞士CONCEPT公司专为3300V高压IGBT的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块,它以专用芯片组为基础,外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式,能同时驱动两个

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼

设计人员需要为智能手机、平板电脑、数码相机等便携及无线、消费等应用选择适合的电路保护及滤波方案,本文分析了电路保护的技术趋势及EMI滤技术比较,并结合具体应用示例,介绍安森美半导体相应产品。