IRF系列高压MOS管

关于mos管驱动方面的总结说明，方便设计mos驱动电路者使用。

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详细介绍MOS管的电容特性

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MOS管中英对照,你值得拥有,从此不必在英语

MOS在控制器电路中的工作状态包括开通过程、导通状态、关断过程和截止状态。MOS主要损耗对应这些状态，包括开关损耗、导通损耗和雪崩能量损耗。只要损耗控制在MOS承受范围内，MOS就能正常工作，超出则可

详细介绍了MOS管的工作原理，以及相应的用法，ppt格式

MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IG

三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极(emitter, E)、基极(base, B)和集电极(collector, C),名称来源和它