功率晶体管和开关二极管的应用技巧

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:1费米

光电二极管(也叫光敏二极管)是将光信号变成电信号的半导体器件,与光敏电阻相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优点。它的核心部分也是一个PN 结,和普通二极管相比,在结构上不同的是

反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf 、反向恢复电荷Qrr 以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。

磁敏二极管特性 磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在P区与N区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区——1区，在1区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区——R区，其基本结构如图1所示。该管采

TVS（Transient Voltage Supprseeor）是一种在稳压管工艺基础上发展起来的一高效能的电路保护器件，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异。那么两者在使用上有什

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。 安

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 二极管按用途分为:晶体二极管、双向触发二极管、高频变阻二极管、变容二极管、发光二极管、肖

下面这篇博客依次介绍了功率二极管的基础,二极管的发热和温度计算,功率二极管功耗的全计算过程。

本文主要介绍关于功率二极管的问题解析。

研究了高功率二极管激光器芯片焊接工艺和铜微通道冷却器技术, 针对不同应用需求,分别设计了背冷式及微通道冷却器模块式堆叠封装结构。进行了线阵和堆叠封装实验,并给出了实验测试结果。