VLSI 设计 超大规模集成电路设计

非常好的清华大学作业习题答案，附有详细的解答对VLSI有兴趣的朋友可以下来看看

大规模集成电路的PDN与PUN的讲解，详细讲述了P沟道与N沟道MOS管的传输特性。

大规模集成电路中的可制造性设计研究，郑舒静，，本论文的目的在于寻求深亚微米制造工艺对集成电路设计和产品良率的影响，并由此提出一些旨在设计阶段就可以考虑的可制造性要点，

数字大规模集成电路课件第七章互联问题

摘 要: 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验

随着集成电路的结构功能模块化,元件级诊断已没有必要,且容差特性将导致累积误差缺陷。对此提出一种云模型嵌套小波网络的大规模集成电路故障诊断方法。采集网络撕裂后的模块化集成电路状态信息,用正向云模型对采集

清华大学大规模集成电路研究生教程 第二部分 大家好好看

清华大学大规模集成电路研究生教程一共两个文件大家看好了啊

相关资料: 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法(一) 2 实验结果分析及讨论 2.1 实验结果分析 通过计算各个参数与辐照性能参数的单相关系数得到两种应力实验前后的辐照信息参数,

摘 要: 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验