HEMT(高电子迁移率晶体管)介绍

作为集成电路的基本电子组件,晶体管的大小 40 多年来一直在缩减。在我们的90-nm CMOS 工艺中,我们面临着严峻挑战,需要制造门长度不足 40 nm的晶体管。要求我们实现最高级的光刻与蚀刻控制,

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该晶体管习题答案,适用于电子科学与技术专业学生

传统的晶体管特性图示仪是利用电子扫描的原理,在示波管的荧光屏上直接显示各种半导体器件输出特性曲线的仪器,如三极管、二极管、场效应管等晶体管器件,主要组成是由阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、工作于X

详细介绍晶体管的原理，设计。我的课程设计全靠它了

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晶体管参数及代换大全

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声