射频集成电路

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CMOS工艺可分为P阱CMOS、N阱CMOS和双阱CMOS。以NWELL工艺为例说明CMOS中常用有源及无源器件的器件结构、工作原理、特性参数等。建议在此之前先了解CMOS的基本工艺。

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1946年1月,Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley肖克莱,J. Bardeen巴丁、W. H. Brattain布拉顿。Bardeen提出了表面态理论, Schokley给

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