本文分析了低噪声放大器的设计理论、噪声理论、CMOS工艺中的无源元件以及亚微米的MOS管结构。对螺旋电感的几何参数与Q值的关系进行了分析;基于TSMC0.18umRFCMOS工艺设计了一种插入级间匹配电感的差分低噪声放大器,并对级联级栅宽的选择在传统方法基础上做了优化,