详细讲解MOSFET管驱动电路

场效应管驱动电路研究pdf,摘要:探讨了功率场效用管(MOSFET)的栅极驱动问题, 总结了三种在实际中很有应用价值的栅极驱动电路。

驱动大的功率管Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。

数码管的使用方法与发光二极管没什么区别，只是把七或八只发光二极管组合在一个模件上组成了个8字和小数点，用以显示数字。为了减少管脚，把各个发光管的其中同一个极接在一起作为共用点，因此就产生了共阳极和共阴

该设计方案使用allegro搭建MOS管驱动电路，包含原理图和板子图。

从BMOS管的等效电路（图1-19）可以看出，VMOS管的输入端是电容性的，其动态输入阻抗与静态输入阻抗有很大的差别，直流输入阻抗极高，但交流输入阻抗随频率而变化，由于这个原因，VMOS管的上升时间和

生管系统讲解

本文档是IR高压门极驱动芯片的设计指南,中文版本,值得收藏。

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-modepowersupplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。

在低电压（100V以下）驱动应用中，多使用MOSFET作为功率转换器件。随着电压的提高，MOSFET的优势也随着不明显，所以在高压的应用场合，多使用IGBT作为功能器件，该类器件的耐压可以做得较高，结

高频开关电源都会有较大的驱动损耗,本文提出谐振驱动技术,它可以在冲放电过程中进行有效的能量恢复。在对门极驱动损耗进行简单的介绍以后,本文提出了一个新的电路,该电路有着低驱动损耗、开关速度快、驱动电压箝