英飞凌IGBT

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2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS

【导读】保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用,本文讨论IGBT驱动电路和IGBT的保护,包括驱动电路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驱动电路、2SD315A集成驱

IGBT的介绍及应用——详细介绍IGBT性能及各种应用pdf,详细介绍IGBT性能及各种应用

IGBT与晶闸管电气专业IGBT和可控硅的区别两者都是开关元件，IGBT驱动功率小而饱和压降低。前者可高频率开关后者就差劲。前者价格高。

IGBT是一种电压控制的电力三极管,你可以看作是一个高功率版本的CMOS管。特点是开关频率高,家庭方面的主要应用比如变频空调、电磁炉,微波炉,还有就是电脑电源的主动pfc还有UPS。工业方面应用主要用

为了充分发掘系统层面的设计优势,以往主要集中在大功率应用的三电平中点钳位(NPC)拓扑电路近来也开始出现在中、小功率应用中。

IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低

众所周知,IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就

栅极电阻:其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生电感与电容振荡,限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。