沟道层金属成分对In-Zn-O薄膜晶体管器件性能影响研究,姚绮君,李曙新,采用脉冲等离子体沉积技术制备和研究了铟锌氧化物薄膜晶体管。具有优良薄膜晶体管性能的器件其场效应迁移率大于15cm2/Vs以上,开关