随着频率控制传动技术的发展，对频率变速转动的要求越来越高，尤其是对采用快速切换的IGBT半导体现代变频技术，尽管脉冲频率高或更断时间仅仅几毫秒之内，但他们会对周围环境产生阳性磁场。