氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

缺陷型钙钛矿材料的成分及介电性能分析，胡星，凌志远，Ca(Li1/3Nb2/3)O3-δ陶瓷具有大量氧空位却具有优秀的微波介电性能且较低的烧结温度，有望实现在贱金属内电极多层陶瓷电容器中的应用，�

水溶液法制备ZnO薄膜的研究，刘辉，靳正国，以硝酸锌和氨水为前驱生长液，采用低温水溶液法在涂敷ZnO晶种层的玻璃基底上外延生长ZnO棒状晶薄膜。应用SEM和XRD表征ZnO薄膜的形貌和

采用射频反应溅射技术在硅(100)衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表

介孔TiO2微米棒的制备及电化学脱嵌锂性能研究，丰炳梅，王慧鑫，以价格低且空气中稳定的乙酰丙酮钛为钛源，乙二醇为反应介质，采用多元醇工艺制备了聚羟基乙酸钛前驱体微米棒，然后将前驱体热解

氮化硅薄膜力学性能的纳米压痕测试与分析，张良昌，许向东，纳米压入法在薄膜材料力学性能测试领域中有着广泛的应用。本文利用纳米压入技术对PECVD氮化硅（SiNx）薄膜的力学性能进行了测量与分

纳米ZnS∶Cu薄膜谐振腔的制备及特性研究，秦旭锋，茅惠兵，采用水浴法沉积了不同Cu掺杂浓度的ZnS∶Cu纳米薄膜。用X射线衍射仪对样品的结构进行表征，结果表明样品为立方相结构。荧光光谱分析�

直流反应磁控溅射氮化钛薄膜电极的工艺研究，王男，周大雨，采用直流磁控溅射技术在Si（100）基片上制备了不同溅射电流以及不同氩氮比下的氮化钛（TiN）纳米薄膜电极。通过表面台阶测试仪﹑四�

PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究讲述了不同工艺参数对SiN薄膜的影响

掺杂Fe2O3的介孔纳米纤维的制备及光催化性能研究，杨江瑶，展思辉，本文介绍了通过溶胶-凝胶法，电纺凝胶前驱体来制备掺杂Fe2O3的介孔TiO2纳米纤维。使用扫描电子显微镜（SEM），傅立叶变换红外光

高介电性能聚合物复合电介质材料的研究，解云川，，高介电性能聚合物基复合电介质材料具有高介电常数、低损耗、强击穿电压等特性，有着广泛的应用前景。本文综述了近年来该领域的研