带隙可调的3 巯基丙酸 ZnxCd1 xSe量子点的形成

梯度带隙AlGaAs / GaAs导线光电阴极的光发射特性

利用二维泊松方程和连续性方程,通过数值方法确定了梯度带隙AlGaAs / GaAs反射模式光电阴极的调制传递函数(MTF)。 基于MTF模型,我们计算了渐变和均匀带隙反射模式光电阴极的理论MTF。 然

采用时域有限差分法(FDTD)对介质柱构成的8重准晶光子晶体(PQCs)的带隙特性进行了研究,分别讨论了介质柱形状和对称度变化对带隙宽度、带隙对方向不敏感特性的影响。数值模拟和分析结果表明,当填充因子

设计了一种适用于脉冲无畸变慢光传输的带隙型光子晶体光纤。用平面波展开法分析了该带隙型光子晶体光纤的能带结构、群折射率以及群速度色散等特性。分析结果表明,通过对光子晶体光纤的内包层空气孔进行微流体填充,

利用传输矩阵法及对色散缺陷层采用洛伦兹振子模型,研究了一维含色散缺陷的Sinc 函数型光子晶体的光子禁带和色散缺陷模,计算了该周期结构的复有效折射率。结果表明,加入缺陷层后可获得宽阔的光子禁带;缺陷层

采用时域有限差分方法求出了麦克斯韦-布洛赫方程的孤子解,数值模拟了由共振吸收原子按布拉格结构所排列而形成的′′主动光子晶体′′中产生′′慢光子′′和′′静止光子′′的方法.结果证明,如果使入射脉冲面积

对二维三角形空气孔结构的光子晶体TE模、TM模的禁带重叠区,即绝对带隙的影响因素进行了系统的分析计算,得到其禁带随介电常数的差别还有填充比的变化规律:绝对带隙在r/d(空气孔半径/晶格周期) >

利用平面波展开法与时域有限差分法分析计算了一维光子带隙光子晶体腔的特性。得到了品质因子Q为2.2×106,模体积V为0.278(λ/n)3的一维带隙光子晶体腔。分析了渐变区、腔镜子区及缺陷区对腔品质因

提出一种介质环型三重晶格光子晶体结构,并研究了其完全带隙。利用Rsoft软件研究了各参数对完全带隙的影响规律,进而优化了介质环型结构。结果表明,随着介质环介电常数的增大,光子晶体完全带隙先增大后减小;

使用量子点半导体光放大器的环形主动锁模可调谐激光器