大功率670nmGaInP/AlGaInP激光器有源区结构优化,林楠,林涛,基于量子阱厚度和波导层厚度,对大功率670nmGaInP/AlGaInP氧化条形激光器进行了详细地模拟研究。根据实验结果得到了模拟参数背景损耗��