GaN基可调谐光栅外腔半导体激光器

商用的半导体激光器由于其长期漂移大,不能满足单离子光频标中离子的激光冷却和长时间探测的目的。因此,采用了传输腔稳频技术减小商用397 nm半导体激光器的长期漂移。利用经过Pound-Drever-Ha

对长轴为12 μm、短轴为10 μm 并在长轴处直连2 μm 宽输出波导的椭圆微盘激光器的热特性进行了实验和理论分析。测量连续电流注入微腔激光器的稳态特性,根据其波长红移计算器件热阻为Z

端面镀增透膜的激光二极管构成的光栅外腔激光器(ECLD)中,考虑到镀膜端面剩余反射率对波长的依赖关系以后,利用等效腔法导出了该激光器阈值载流子密度随波长变化的解析表达式,以此为出发点,讨论了增透膜反射

最近,三洋电机公司采用分子束外延法,研制成功外微分量子效率达80%、内量子效率为95%的GaAlAs系列半导体激光器。以前,这种激光器仅电子和空穴的复合部能使光不泄出,而新研制的激光器由于采用了使晶体

提出一种新型的分布式反馈(DFB)半导体激光器, 该激光器具有宽带波长可调谐、线宽窄、功率稳定的特点。该DFB激光器芯片通过采用非对称相移光栅结构, 有效地压窄了输出光信号的线宽。基于高精度的温度和电

设计了一种以单片机为核心,结合PID 控制系统等外围电路的半导体激光器的高精度控制器。

实验研究了注入光对光纤光栅外腔半导体激光器阈值电流的影响,给出了可同时获得高消光比和高转换速率的注入电流范围.采用载流子消耗机制对实验结果进行了定性分析.

理论分析了温度对垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)工作性能的影响,利用VCSEL的增益腔模失配理论设计了适用于高温环境下工作的VCSEL外延结构并对该结构进行了外延生长及工艺制备。理论分析表明,采

中美合作刷新半导体激光器调谐范围世界纪录

一种新的虚拟仪器测试方法本文主要介绍了一个半导体激光器噪声的虚拟测试系统。首先对半导体激光器的噪声特性进行了综述，介绍了半导体激光器噪声测量的常用方法。然后着重介绍了所设计的噪声虚拟测试系统。该