由内在点缺陷(Ga和As的空位,Ga和As的反位,Ga和As的间隙)引起的GaAs中原子构型的变化,首先是通过平面波伪势方法在框架中采用广义梯度近似来计算的。密度泛函理论,并获得最稳定的结构。 然后,
空位ZnO的第一性原理平面波赝势方法研究,丁增辉,熊予莹,本文利用第一性原理平面波赝势方法对纯净ZnO和空位型ZnO的电子结构进行了计算。结果表明:纯净ZnO中氧原子或者锌原子的减少都会使得
用石墨模拟煤层,利用量子力学第一性原理,计算了石墨(0001)表面顶位、桥位和洞位对甲烷分子的吸附行为。结果表明:单个甲烷分子在石墨(0001)表面的最稳定吸附位为顶位,其次是桥位和洞位;随着吸附个数
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂.计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力.吸附不同有机分子的单层
采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2
材料计算第一性原理guangyitidu
SIESTA-西班牙著名第一性原理计算程序,版本3.0-beta,做计算的肯定知道它了,不多说了。。。
在纯杨-米尔斯理论的强耦合作用下,在一个被筛选的动量减法框架内研究了被筛选的大规模膨胀的成功。 通过精确的Slavnov-Taylor和Nielsen身份,导出了非常可预测且自成体系的固定条件集,以优
醇酚类化合物的毒性QSAR研究,邓小龙,陈渊,化合物毒性与描述符通常呈现为非线性关系,量子化学计算的化合物分子描述符中包含诸多无关特征与冗余特征.最大相关最小冗余(mRMR)�
方钴矿化合物的SPS烧结工艺研究,黄立峰,,烧结温度与烧结压力是方钴矿SPS烧结的主要参数。本文主要研究883K50MPa与903K40MPa 两种烧结工艺对方钴矿材料质密度、晶粒尺寸与热电性�
